- Kongeriket
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
Kioxia Fab7 fabrikk startet byggingen! Den første byggefasen vil være ferdig neste vår
25. februar kunngjorde Kioxia at de hadde holdt en banebrytende seremoni på fabrikken i Yokkaichi, Mie Prefecture, Japan, og offisielt brøt bakken på sin mest avanserte halvlederfabrikk (Fab7).
Pressemeldingen uttalte at anlegget vil bli et av de mest avanserte produksjonsanleggene i verden, dedikert til produksjon av sitt proprietære 3D-flashminne BiCS FlashTM. Byggingen av det nye anlegget vil bli delt inn i to faser, og den første fasen er planlagt å være ferdig våren 2022.
Pressemeldingen uttalte at anlegget vil bli et av de mest avanserte produksjonsanleggene i verden, dedikert til produksjon av sitt proprietære 3D-flashminne BiCS FlashTM. Byggingen av det nye anlegget vil bli delt inn i to faser, og den første fasen er planlagt å være ferdig våren 2022.
Det nye Fab7-anlegget er et joint venture mellom Kioxia og Western Digital. Den vil vedta en støtdempende struktur og miljøvennlig design, inkludert det nyeste energisparende produksjonsutstyret. Anlegget vil ytterligere forbedre Kioxias samlede produksjonskapasitet ved å introdusere AIs avanserte produksjonssystem.
Kioxia Fab7 Factory
Før dette (20. februar) kunngjorde Kioxia og Western Digital at de to partene hadde samarbeidet om utviklingen av den sjette generasjonen 162-lags 3D-flashminneteknologi. Pressemeldingen påpekte at dette er den høyeste tettheten og den mest avanserte 3D-flashminneteknologien til de to selskapene til dags dato. Sammenlignet med femtegenerasjons teknologi har den horisontale tettheten for cellearrayer økt med 10%. Sammenlignet med 112-lags stablingsteknologi reduserer denne horisontale skaleringsfremgangen kombinert med 162-lags stabling vertikalt minne chipstørrelsen med 40% og optimaliserer kostnaden.
Kioxia sa at det med hell har etablert et samarbeidsforhold med Western Digital i mange år og håper å fortsette å investere i Fab7-fabrikken, inkludert opprettelsen av den sjette generasjonen av 3D-flashminne.
Før dette (20. februar) kunngjorde Kioxia og Western Digital at de to partene hadde samarbeidet om utviklingen av den sjette generasjonen 162-lags 3D-flashminneteknologi. Pressemeldingen påpekte at dette er den høyeste tettheten og den mest avanserte 3D-flashminneteknologien til de to selskapene til dags dato. Sammenlignet med femtegenerasjons teknologi har den horisontale tettheten for cellearrayer økt med 10%. Sammenlignet med 112-lags stablingsteknologi reduserer denne horisontale skaleringsfremgangen kombinert med 162-lags stabling vertikalt minne chipstørrelsen med 40% og optimaliserer kostnaden.
Kioxia sa at det med hell har etablert et samarbeidsforhold med Western Digital i mange år og håper å fortsette å investere i Fab7-fabrikken, inkludert opprettelsen av den sjette generasjonen av 3D-flashminne.